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图解入门半导体元器件精讲

类别：
先进制造技术
| 关键字：
半导体元器件
本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理最有效的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书最后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流ID饱和的解释。
作者：
执行直之
出版社：
机械工业出版社
出版时间：
2023-06-01
定价：
￥99.00
京东价：￥75.60
版权说明：
授权连载不得转载

作者简介

执行直之，国际电子技术与信息科学工程师学会会士（IEEE Fellow）。毕业于日本东北大学的工学研究科情报工学专业，并取得了博士学位（工学）。1980年进入东芝株式会社，2019年进入铠侠控股株式会社。专业领域为半导体器件的仿真以及器件设计。

1半导体以及MOS晶体管的简单说明