图解入门半导体元器件精讲

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图解入门半导体元器件精讲

本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理最有效的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书最后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流ID饱和的解释。

作者：执行直之

出版社：机械工业出版社

出版时间： 2023-06-01

定价：~~￥99.00~~

京东价：￥75.60

作者简介

执行直之，国际电子技术与信息科学工程师学会会士（IEEE Fellow）。毕业于日本东北大学的工学研究科情报工学专业，并取得了博士学位（工学）。1980年进入东芝株式会社，2019年进入铠侠控股株式会社。专业领域为半导体器件的仿真以及器件设计。

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半导体以及MOS晶体管的简单说明: • 第一节半导体的历史; • 第二节半导体的概述; • 第三节 MOS晶体管的概述

半导体的基础物理: • 第一节能带; • 第二节费米统计与半导体; • 第三节电中性条件以及质量作用定律; • 第四节扩散与漂移; • 第五节静电场的基本公式

PN结二极管: • 第一节 PN结二极管的结构以及整流作用; • 第二节能带图（接地时）; • 第三节能带图（施加偏置时）; • 第四节电流电压特性

双极性晶体管: • 第一节双极性晶体管的能带图; • 第二节电流放大倍数与截止频率

MOS电容器: • 第一节 MOS电容器的C-V特性; • 第二节 MOS结构的能带图; • 第三节 C-V特性的频率依赖性

MOS晶体管: • 第一节 MOS晶体管的工作原理; • 第二节电流电压特性; • 第三节 NMOS与PMOS; • 第四节反相器

超大规模集成电路器件: • 第一节器件微缩的方向：缩放比例定律; • 第二节器件微缩的难点; • 第三节互连线微缩造成的信号延迟; • 第四节闪存

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