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半导体微缩图形化与下一代光刻技术精讲

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半导体微缩图形化与下一代光刻技术精讲

本书从光刻机到下一代光刻技术,从光刻胶材料到多重图形化技术,全面剖析每一步技术革新如何推动半导体产业迈向纳米级精细加工的新高度。

作者:冈崎信次,林直也等

出版社:机械工业出版社

出版时间: 2025-05-01

定价:¥79.20

京东价:¥78.41

作者简介

冈崎信次Gigaphoton株式会社原技术顾问,是当代日本半导体技术专家,其著作中文版的推出为国内相关领域提供了重要技术参考,尤其在光刻工艺与微纳加工方向具有实用价值。

绪言
• 第一节 引言
• 第二节 微缩化的指导原则及其效果
• 第三节 光刻技术的发展及其困难
• 第四节 下一代光刻技术及未来发展
光掩膜
• 第一节 引言
• 第二节 光掩膜的起源
• 第三节 光掩膜的结构
• 第四节 光掩膜的制造工艺
• 第五节 掩膜版的挑战及未来展望
下一代光刻技术发展趋势
• 第一节 下一代光刻技术
• 第二节 EUV光刻技术
• 第三节 电子束刻蚀技术
• 第四节 纳米压印技术
• 第五节 定向自组装(Directed Self Assembly)技术
EUV掩膜技术
• 第一节 EUV掩膜版制造技术
• 第二节 掩膜技术
纳米压印技术
• 第一节 纳米压印设备
• 第二节 纳米压印模板技术
电子束刻蚀技术与设备开发
• 第一节 可变形电子束刻蚀设备
• 第二节 多电子束刻蚀设备
定向自组装(DSA)技术
• 第一节 引言
• 第二节 DSA技术中聚合物的自组装
• 第三节 DSA工艺的基本步骤
• 第四节 DSA工艺相关材料
• 第五节 DSA工艺的模拟
• 第六节 DSA技术的优势和挑战
• 第七节 结语
光刻胶材料的发展趋势
• 第一节 引言
• 第二节 光刻胶技术的转折点
• 第三节 曝光波长的缩短和光刻胶的光吸收
• 第四节 显影液的演变
• 第五节 感光胶的感光机制演变及对比度提高
• 第六节 分辨率限制与分子尺寸的考察
• 第七节 结语
含金属光刻胶材料技术
• 第一节 初期的含金属光刻胶
• 第二节 EUV含金属光刻胶的特点
• 第三节 康奈尔大学、昆士兰大学、EIDEC的含金属光刻胶
• 第四节 含金属光刻胶的构成
• 第五节 俄勒冈州立大学、Inpria公司、IMEC的含金属光刻胶
• 第六节 其他含金属光刻胶
• 第七节 含金属光刻胶的功能提升
多重图形化中的沉积和刻蚀技术
• 第一节 多重图形化中沉积和刻蚀技术的作用
• 第二节 沉积技术
• 第三节 刻蚀技术
• 第四节 结语
光散射测量技术
• 第一节 引言
• 第二节 半导体光刻技术
• 第三节 反射光测量技术
• 第四节 散射计
• 第五节 优化方法
• 第六节 光散射测量分析的实例
• 第七节 结语
扫描探针显微镜技术
• 第一节 引言
• 第二节 AFM的原理
• 第三节 各种SPM技术
• 第四节 SPM的特点
• 第五节 SPM的应用
• 第六节 结语
基于小角度X射线散射的尺寸和形状测量技术
• 第一节 引言
• 第二节 X射线散射
• 第三节 小角度X射线散射的测量方法
• 第四节 测量示例
• 第五节 结语
MEMS技术的微缩图形化应用
• 第一节 引言
• 第二节 EUV光源滤波器
• 第三节 基于有源矩阵纳米硅电子源的超大规模平行电子束刻蚀
• 第四节 结语
先进刻蚀技术概要?原子级低损伤高精度刻蚀
• 第一节 引言
• 第二节 中性粒子束生成装置
• 第三节 22nm节点之后的纵向鳍式场效应晶体管
• 第四节 无缺陷纳米结构及其特性
• 第五节 原子层面的表面化学反应控制
• 第六节 结语

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